去年11月份,美国高通公司宣布与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器,最大特色是采用10纳米制程工艺打造,高通方面表示,由于采用全新的10纳米制程工艺,骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能,从而提升移动设备的用户体验。
除此之外,借助10纳米工艺制程,高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸,让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构,比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外,制程工艺的提升也会改善电池续航能力。
通过已经的介绍,里外都透漏着拥有10nm制成的高通骁龙835在性能和能耗上是多么的屌炸天!
而又有多少人知道什么是工艺制成呢?
cpu制作工艺指的是在生产cpu过程中,要加工各种电路和电子元件,制造导线连接各个元器件等。现在其生产的精度以纳米(以前用微米)来表示,精度越高,生产工艺越先进。在同样的材料中可以容纳更多的电子元晶圆局部 件,连接线也越细,有利于提高cpu的集成度。制造工艺的纳米数是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展,密度愈高的IC电路设计,意味着在同样大小面积的IC中,可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步,主要是靠工艺技术的不断改进。
芯片制造工艺从1971年开始,经历了10微米、6微米、3微米、1.5微米、1微米、800纳米、600纳米、350纳米、250纳米、180纳米、130纳米、90纳米、65纳米、45纳米、32纳米、22纳米,一直发展到目前2015年的14纳米,而最先进的10纳米也来到我们身边。
前一段时间,搭载高通骁龙835处理器的三星galaxy S8/S8+正式发布,而作为安卓阵营中的机皇其性能表现到底有多横呢?下面就来通过跑分测试一起来看一下吧。
安兔兔评测
首先,先来进行安兔兔评测跑分测试,而就在2月份,安兔兔公布了手机性能排行榜TOP10,其中苹果iPhone 7 Plus稳居榜首(184981分),iPhone 7(175805分)和一加手机3T(163044分)则仍然分别位居第二和第三。
但是需要注意的是,这个得分是在最理想的情况下的得分。实际机型,并不会有如此高的跑分。就拿Phone 7 Plus举例,实测只有150255分,比安兔兔官方公布的跑分少了3万分。
而三星galaxy S8+在实测中的跑分为,如果在最理想的情况下,跑出的分数会更吓人。
Geekbench 4
然后又进行了Geekbench 4跑分测试,Geekbench 4测试软件分别测试出高通835的单核性能和多核性能,单核分数考研的是cpu最强核心的绝对性能,而多核心得分更多的是考验多核心处理性能以及频率的稳定性。当然两组的分都是越大越好。
如图所示,单核分为1921,多核得分为5634分。从Geekbench 4数据库的排行来看,单核心性能和多核心性能均是最高。
Geekbench 3单核分为1768,多核得分为5601分。
3DMark
3DMark是最权威的图形测试软件,极限测试手机GPU的性能,能够全面的测试包括多渲染目标、即时渲染、统一缓冲、转换反馈,体积光照等在内的各方面性能。
得分方面,三星galaxy S8+的3DMark 得分为2177分,达到了移动端的顶级水平。
在性能方面,三星galaxy S8+搭载的10nm的高通骁龙835十分强悍,并且稳稳的超过了iPhone 7 Plus所搭载的A10处理器,可以称为目前安卓阵营中真正的机皇,而10nm工艺带来的优势,不仅仅是性能上的提升,能耗比才是重中之重。
除此以外,还进一步对三星galaxy S8+的内存读取速度进行了测试,运行的测试软件是AndroBench测试,下面来看看结果吧。
AndroBench是一个基准测试应用程序,可以衡量你的Android设备的存储性能。 AndroBench提供两种方式,第一种可以快速与其他设备的存储进行比较。第二种 sqlite可以查询数据库表。
通过测试截图可以看出读取速度为744.56MB/s,写入速度为155.84MB/s。
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