如何解决如果在较低级别内存增加/降低速度，程序中函数/方法的位置是否重要？
假设我编写了一个包含许多函数/方法的程序。在这个程序中，与其他函数相比，某些函数被多次使用。 在这种情况下，函数/方法的定位在改变较低级别（内存）的速度方面是否重要。
目前，我正在学习计算机组织和体系结构，所以这个疑问出现在我的脑海中。
解决方法
RAM 本身是“平坦的”，在任何地址上的性能都相同（除了多插槽机器中的 NUMA 本地内存与远程内存，或者单个插槽上的混合大小的 DIMM 导致仅部分双通道优势1).
i-cache 和 iTLB 局部性会有所不同，因此即使您不只是内联它们，将“热门”函数组合在一起也很有用。
局部性对于从磁盘输入代码的需求分页也很重要：如果可执行文件的整个块是“冷的”，例如仅用于错误处理，程序启动不必等待它从磁盘获取页面错误（或者甚至是软页面错误，如果它在操作系统的页面缓存中很热）。类似地，将“启动”代码分组到一个页面中可以让操作系统稍后在不再需要它时删除该“干净”页面，从而释放物理内存以进行更多缓存。
像 GCC 这样的编译器会这样做，将 _start 之类的 CRT 启动代码（最终调用 main）放入相同程序段中的 .init 部分（由程序加载器映射） .text 和 .fini，只是为了将启动代码组合在一起。任何 C++ 非常量静态初始化函数也将进入该部分。
脚注 1：通常； IIRC 有一个 4G 和一个 8G 内存条的计算机可以为前 8GB 物理地址空间运行双通道，但后 4 个只能运行单通道，因此内存带宽减半。我认为一些现实生活中的英特尔芯片组/CPU 内存控制器就是这样。
但除非您正在制作嵌入式系统，否则您不会选择操作系统在物理内存中加载您的程序的位置。对于计算机来说，在多通道内存控制器上使用匹配的内存也更为正常，这样整个内存范围就可以在通道之间交错。
顺便说一句，位置对 DRAM 本身很重要：它在行/列设置中布局，切换行需要额外的 DDR 控制器命令，而不是仅读取同一打开“页面”中的另一列。 DRAM 页面与虚拟内存页面不同。一个 DRAM 页面是同一通道上同一行的内存，通常为 2kiB。有关 DDR DRAM 的更多详细信息，以及有关缓存和内存布局的一些非常好的内容，请参阅 What Every Programmer Should Know About Memory?。
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