前几页写入Micron MT25Q闪存设备失败

如何解决前几页写入Micron MT25Q闪存设备失败

我正在做一个项目，我想向美光科技的MT25Q（MT25QL512ABB1EW9-0SIT）闪存设备写入一些信息。但是，当我尝试从前几页（0-13）进行读写时，我会得到垃圾数据。我以为闪存中可能有一个受保护的区域，所以我检查了状态寄存器中相应位的值，该值与任何受保护的扇区都不对应。另外，受保护扇区的任何可能范围都不与此值相对应。 我正在使用支持闪存设备的zephyr-os。这是我的代码：

#include "MT25Q.h"
#include <flash.h>

    struct device *dev = device_get_binding("MT25Q");
    struct flash_pages_info myflash;
    flash_get_page_info_by_idx(dev,&myflash);
    char *test_line = malloc(5);
    char *buf = malloc(5);
    strcpy(test_line,"test");
    size_t page_count = flash_get_page_count(dev);
  
    flash_write_protection_set(dev,false);
    for(long i = 0; i < total_pages; i++) {
        returnval = flash_get_page_info_by_idx(dev,i,&myflash);
        flash_write(dev,myflash.start_offset,test_line,5);
        flash_read(dev,buf,5);
        printk("%s\n",buf);
    }
    flash_write_protection_set(dev,true);
    free(buf);
    free(test_line);
    return 0;
}

对于循环的前15个迭代，我读了一些垃圾字符串。之后，它会按预期工作。该设备是字节可写的。

有人可以帮助我了解为什么会这样吗？我希望我发布了所有必需的信息，但以防万一：

总页数= 256 myflash.size = 131072