读这篇文章不是为了要破解rom,而是为了了解ROM。作为软件人员，对于flash,rom,eeprom等硬件的东西不是很了解，不知道他们有什么区别。某天在ed-china网站上发现了这篇文章，觉得对于理解硬件的知识有帮助，于是下载下来看一看。这篇文章很有名，是一个博士的毕业论文。感谢翻译成中文的这位作者。谢谢你的无私奉献。
掩模ROM有极好的性能，但它不能被再编程，也就是说不能升级程序。带UV EPROM的MCU
通常有两种方式：一种是带石英窗的陶瓷封装，可重新擦除后再编程。另一种是大量生产的
标准塑料封装，也称为OTP（One-Time Programmable只能编程一次）UV EPROM 不方便的地
方是：编程的时候需要高压；一次只能写入一个字或一个字节，导致整个芯片的编程需要很
长时间。即使是可擦除的版本也只能被编程百来次，进行擦除操作时，需要在非常强的紫外
线下放置20－30分钟。
SRAM也在一些需要快速读写或频繁升级的微控制器中作程序存储器。如赛普拉斯的USB
2.0微控制器C7Y68013。SRAM也被达拉斯半导体的加密型微控制器所用，因为在防破解场合
需要更短的擦除时间。
更先进的EEPROM比UV EPROM有一些进步：可在数百或数千个周期内再次编程；通常用芯
片上的充电泵电路产生高压；很快可以编程完毕。对EEPROM的更进一步的发展是闪存(flash
EEPROM)，它在现代的微控制器和智能卡中是主流的存储器。它提供了更快的编程时间，且
可以按块来擦除，节省了很多时间；并且可以被擦写数万次。大部分的现代微控制器将闪存
作为程序存储器，这就可以现场升级代码而无须昂贵的烧录器。
有种方法是把SRAM和EPROM整合在一起，那就可以达到快速的读写时间，且非易失。但
它太贵，只在小部分的智能卡和ASIC中有应用。
每种存储器都有优势和不足，硬件设计师根据需求来取舍。普通的微控制器在同一晶粒
上有不同的存储器，如SRAM和EPROM用在OTP PIC微控制器中。SRAM，掩模ROM和EEPROM用在
飞思卡尔MC68H05微控制器中。
CPLD中，主要用EPROM，EEPROM和闪存。FPGA大多是基于SRAM的，也有公司提供反熔丝
和闪存的非易失FPGA。反熔丝是一种特殊的OTP存储器，用于将芯片内金属线之间的互联进
行编程。这些互联很小，约100纳米宽，很难确定它们的状态。基于反熔丝的技术，提供了
掩模ROM有极好的性能，但它不能被再编程，也就是说不能升级程序。带UV EPROM的MCU
通常有两种方式：一种是带石英窗的陶瓷封装，可重新擦除后再编程。另一种是大量生产的
标准塑料封装，也称为OTP（One-Time Programmable只能编程一次）UV EPROM 不方便的地
方是：编程的时候需要高压；一次只能写入一个字或一个字节，导致整个芯片的编程需要很
长时间。即使是可擦除的版本也只能被编程百来次，进行擦除操作时，需要在非常强的紫外
线下放置20－30分钟。
SRAM也在一些需要快速读写或频繁升级的微控制器中作程序存储器。如赛普拉斯的USB
2.0微控制器C7Y68013。SRAM也被达拉斯半导体的加密型微控制器所用，因为在防破解场合
需要更短的擦除时间。
更先进的EEPROM比UV EPROM有一些进步：可在数百或数千个周期内再次编程；通常用芯
片上的充电泵电路产生高压；很快可以编程完毕。对EEPROM的更进一步的发展是闪存(flash
EEPROM)，它在现代的微控制器和智能卡中是主流的存储器。它提供了更快的编程时间，且
可以按块来擦除，节省了很多时间；并且可以被擦写数万次。大部分的现代微控制器将闪存
作为程序存储器，这就可以现场升级代码而无须昂贵的烧录器。
有种方法是把SRAM和EPROM整合在一起，那就可以达到快速的读写时间，且非易失。但
它太贵，只在小部分的智能卡和ASIC中有应用。
每种存储器都有优势和不足，硬件设计师根据需求来取舍。普通的微控制器在同一晶粒
上有不同的存储器，如SRAM和EPROM用在OTP PIC微控制器中。SRAM，掩模ROM和EEPROM用在
飞思卡尔MC68H05微控制器中。
CPLD中，主要用EPROM，EEPROM和闪存。FPGA大多是基于SRAM的，也有公司提供反熔丝
和闪存的非易失FPGA。反熔丝是一种特殊的OTP存储器，用于将芯片内金属线之间的互联进
行编程。这些互联很小，约100纳米宽，很难确定它们的状态。基于反熔丝的技术，提供了
很高的安全性。
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